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ゲートアレイ

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エプソンのゲートアレイは電源、信号配置を自由に設定できるため、既存品の置換えにも最適です。2012年にはお客様のご要求にお応えし、0.35umプロセスで5V単一電源を対応するS1L5V000シリーズを新規に開発、集積度と消費電力の改善にも貢献します。

ゲートアレイ製品に関する詳細資料や開発の流れをまとめた資料

ゲートアレイ製品に関して下記のようなPDF資料がダウンロードできます。

 
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ゲートアレイ ラインアップ

S1L60000シリーズ：低電圧・高速・高集積CMOSゲートアレイ

ステイタス MP
マニュアル S1L60000シリーズ デザインガイド PDF (2,642KB)
マニュアル補足資料 S1L60000シリーズ 入出力バッファの一覧表／デザインガイド補足資料
シリーズ名 S1L60000シリーズ
「S1L60000」シリーズのスペック、機種一覧、デザインガイドなどの詳細資料をダウンロード
特長
  • 超高集積（0.25µm CMOS3 層／ 4 層配線プロセス採用）
  • 高速動作（内部ゲート遅延　2.5V 時 107ps 2 入力 NAND Typ.）
  • 駆動能力（IOL=0.1, 1, 3, 6, 12mA ／ 3.3V 時, IOL=0.1, 1, 3, 6, 9,18mA ／ 2.5V 時,
    IOL=0.05, 0.3, 1, 2, 3, 6mA ／ 2.0V 時, IOL=0.045, 0.27, 0.9, 1.8, 2.7, 5.4mA ／ 1.8V 時）
  • RAM（同期型、非同期型）
機種名 3層Al S1L60000シリーズマスタ一覧
4層Al
搭載ゲート数
使用
可能
ゲート数		 3層Al
4層Al
トータル
端子数
 80µm
70µm
遅延
時間		 内部
ゲート		 tpd=107ps（2.5V時, F/O=1,標準配線負荷）
入力
バッファ		 tpd=270ps（2.5V時, F/O=2, 標準配線負荷）
出力
バッファ		 tpd=1600ps（2.5V時, CL=15pF）
I／Oレベル CMOS、LVTTL、PCI-3.3V
入力モード CMOS、LVTTL、プルアップ／プルダウン、シュミット、レベルシフタ、Fail-safe、Gated
出力モード ノーマル、オープンドレイン、3ステート、双方向、レベルシフタ、Fail-safe、Gated

使用可能ゲート数については、回路によって異なりますので目安としてお考えください。

S1L50000シリーズ：5V インタフェース対応 高速・高集積CMOSゲートアレイ

ステイタス MP
マニュアル S1L50000シリーズ デザインガイド PDF (2,554KB)
マニュアル補足資料 S1L50000シリーズ 入出力バッファの一覧表／デザインガイド補足資料
シリーズ名 S1L50000シリーズ
「S1L50000」シリーズのスペック、機種一覧、デザインガイドなどの詳細資料をダウンロード
特長
  • 高集積（0.35µm CMOS2 層／ 3 層／ 4 層配線プロセス採用）
  • 高速動作（内部ゲート遅延　3.3V 時 0.14ns 2 入力 Power-NAND Typ.）
  • 低消費電力（内部セル3.3V 時0.7µW ／ MHz ／ BC）
  • 駆動能力（IOL=0.1, 1, 3, 8, 12, 24mA, PCI ／ 5.0V 時, IOL=0.1, 1, 2, 6, 12mA, PCI ／ 3.3V 時,
    IOL=0.1, 0.5, 1, 3, 6mA ／ 2.5V 時, IO L=0.05, 0.3, 0.6, 2, 4mA ／ 2.0V 時）
  • RAM（非同期型）
機種名 2層Al S1L50000シリーズマスタ一覧
3層Al
4層Al
搭載ゲート数
使用可能
ゲート数		 2層Al
3層Al
4層Al
トータル端子数 80µm
70µm
遅延時間 内部ゲート tpd=0.14ns（3.3V 時,F/O=2, 標準配線負荷）、0.21ns（2.0V 時,F/O=2, 標準配線負荷）
入力バッファ tpd=0.38ns (5.0V 時,F/O=2, 標準配線負荷)レベルシフタ、0.4ns (3.3V 時,F/O=2,標準配線負荷)、1.3ns（2.0V 時,F/O=2,標準配線負荷）
出力バッファ tpd=2.12ns (5.0V 時)レベルシフタ、2.02ns (3.3V 時) 、3.9ns（2.0V 時）、CL=15pF
I／Oレベル CMOS、LVTTL、PCI-5V、PCI-3.3V
入力モード LVTTL、CMOS、プルアップ／プルダウン、シュミット、Fail-safe、Gated
出力モード ノーマル、オープンドレイン、3 ステート、双方向、Fail-safe、Gated

使用可能ゲート数については、回路によって異なりますので目安としてお考えください。

S1L5V000 シリーズ：5V単一電源対応　高集積CMOSゲートアレイ

ステイタス MP
マニュアル S1L5V000シリーズデザインガイド PDF (2,309KB)
マニュアル補足資料 S1L5V000シリーズ 入出力バッファの一覧表／デザインガイド補足資料
シリーズ名 S1L5V000シリーズ
「S1L5V000」シリーズのスペック、機種一覧、デザインガイドなどの詳細資料をダウンロード
特長
  • 高集積（0.35µm CMOS2 層／ 3 層／ 4 層配線プロセス採用）
  • 高速動作（内部ゲート遅延：5.0V時　0.19ns、3.3V時　0.29ns、2入力Power-NAND Typ.）
  • 低消費電力（内部セル：5.0V時　1.3uW/MHz/BC、3.3V時　0.54uW/MHz/BC）
  • 駆動能力（IOL=0.1, 1, 3, 8, 12mA/5.0V時、IOL=0.1, 1, 2, 6, 10mA/3.3V時）
機種名 2層Al S1L5V012 S1L5V042 - S1L5V112 - S1L5V252 - S1L5V482
 機種名 2層Al
3層Al S1L5V013 S1L5V043 S1X5V513
*		 S1L5V113 S1X5V523
*		 S1L5V253 S1X5V533
*		 S1L5V483
 3層Al
4層Al S1L5V014 S1L5V044 S1X5V514
*		 S1L5V114 S1X5V524
*		 S1L5V254 S1X5V534
*		 S1L5V484
 4層Al
搭載ゲート数 8.9k 42.0k 26.0k 109.3k 90.3k 254.4k 235.0k 479.9k 搭載ゲート数
使用可能
ゲート数		 2層Al 2.7k 12.6k - 32.8k -

63.6k

 -

119.9k

 使用可能
ゲート数		 2層Al
3層Al 5.4k 25.2k 14.3k 65.6k 49.7k 139.9k 129.3k 239.9k 3層Al
4層Al 6.2k 29.4k 16.9k 76.5k 58.7k 165.4k 152.8k 287.9k 4層Al
トータル端子数 48 104 168 256 308 トータル端子数
遅延時間 内部ゲート tpd=0.19ns(5.0V時、F/O=2、標準配線負荷)、 tpd=0.29ns(3.3V時、F/O=2、標準配線負荷)
入力バッファ tpd=0.45ns(5.0V時、F/O=2、標準配線負荷)、tpd=0.55ns(3.3V時、F/O=2、標準配線負荷)
出力バッファ tpd=2.07ns(5.0V時)、 tpd=2.95ns(3.3V時)、CL=15pF
I／Oレベル CMOS、TTL 、LVTTL
入力モード TTL、LVTTL、CMOS、プルアップ／プルダウン、シュミット、Fail-safe、Gated
出力モード ノーマル、オープンドレイン、3ステート、双方向、Fail-safe、Gated

使用可能ゲート数については、回路によって異なりますので目安としてお考えください。

*：Analog PLL入りマスタ

 
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