半導体

ASIC

お問い合わせ・ご購入

エンベデッドアレイ

エンベデッドアレイ

エンベデッドアレイは、スタンダードセル、ASSP等の特定用途向ハードマクロを搭載し、かつお客さまの回路をSea of Gateで実現、混載可能なセミカスタムICです。
高集積・高機能セルのハードマクロ化により、システムオンチップが可能であり、ロジック部の Sea of Gate 化により配線工程以後は、ゲートアレイと同等の開発期間を実現します。
また、LSIの下地（ベースバルク）の再利用が可能で、ロジック部のみの変更であれば、ゲートアレイと同等の開発期間で改変が行えます。

ASIC開発・ASICへの置き換えに関する資料ダウンロードや価格・工期のご相談

ASIC開発に関するさまざまなPDF資料がダウンロードできます。またASIC開発の価格や開発期間に関するご相談もお受けしております。

 
この他どんな資料があるか見る

ラインアップ

エンベデッドアレイ設計方法

エンベデッドアレイの設計方法は、最初にシステム設計を行い、ロジック部分のゲート数、および搭載するマクロセルを決定したのち、ベースバルクの製造を開始します。ベースバルクは必要なハードマクロセルを搭載し、あわせてロジック部の Sea of Gateを敷き詰めたもので、配線工程前まで製造を進めます。この製造作業と平行して、通常のゲートアレイと同様にロジック部回路設計～レイアウト後シミュレーションFixまでの作業を行い、サインオフ後に配線工程を行います。サインオフ後はゲートアレイと同等の納期でサンプル出荷されます。またLSIのベースバルクは再利用が可能ですので、ロジック部の回路変更のみであれば、ゲートアレイと同等の開発費・開発納期で改変が可能です。

エンベデッドアレイ設計方法

エンベデッドアレイ ラインアップ

S1X80000シリーズ

ステイタス MP
マニュアル

S1X80000/S1K80000シリーズデザインガイド PDF (1,946KB)
シリーズ名 S1X80000シリーズ
特長
  • 高集積（0.15μm CMOS 4/5層配線プロセス採用、74Kゲート/mm2）
  • 高速動作（内部ゲート遅延：34.5ps／1.8V、2入力NAND Typ.）
  • 電源電圧選択可能　単一電源動作（1.8V、LDO内蔵による3.3V）
    2電源動作（I/O：3.3V／内部：1.8V）
  • 低消費電力（内部セル：0.063μW／MHz／gate、2入力NAND標準／1.8V）
  • 駆動能力（IOL=2,4,8,12mA／3.3V）
マクロセル RAM、PLL, LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能
パッケージ QFP48～256ピン、PBGA、PFBGA、QFN

S1X60000シリーズ

ステイタス MP
マニュアル S1X60000シリーズ デザインガイド PDF (11,440KB)
シリーズ名 S1X60000シリーズ
特長
  • 高集積（0.25μm CMOS 3/4/5層配線プロセス採用、搭載ゲート数：最大250万ゲート）
  • 高速動作（内部ゲート遅延：107ps／2.5V、2入力Power NAND Typ.）
  • 電源電圧選択可能　単一電源動作（2.0V、2.5V）
    2電源動作（I/O：3.3V／内部：2.5V、I/O：3.3V／内部：2.0V）
  • 低消費電力（内部セル：0.18μW／MHz／gate、2入力NAND標準／2.5V）
  • 駆動能力（IOL=0.1,1,3,6,12,24mA／3.3V時、IOL=0.1,1,3,6,12,24mA／2.5V時、IOL=0.05,0.3,1,2,4,8mA／2.0V時）
マクロセル RAM、ROM、Flash、MCU、PLL、LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能
パッケージ QFP48～256ピン、PBGA、PFBGA、QFN

S1X50000シリーズ

ステイタス MP
マニュアル S1X50000シリーズ デザインガイド PDF (2,617KB)
マニュアル補足資料 S1X50000シリーズ 入出力バッファの一覧表／デザインガイド補足資料
シリーズ名 S1X50000シリーズ
特長
  • 高集積（0.35μm CMOS 3/4層配線プロセス採用）
  • 高速動作（内部ゲート遅延：150ps／3.3V、2入力Power NAND Typ.）
  • 電源電圧選択可能　単一電源動作（2.0V、2.5V、3.3V）
    2電源動作（I/O：5.0V／内部：3.3V、I/O：3.3V／内部：2.5V、I/O：3.3V／内部：2.0V）
  • 低消費電力（内部セル：0.37μW／MHz／gate、2入力NAND標準／3.3V）
  • 駆動能力（IOL=0.1,1,3,8,12,24mA／5.0V時、IOL=0.1,1,2,6,12mA／3.3V時、IOL=0.1,0.5,1,3,6mA／2.5V時、IOL=0.05,0.3,0.6,2,4mA／2.0V時）
マクロセル RAM、ROM、Flash、MCU、PLL、アナログセル、LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能
パッケージ QFP48～256ピン、PBGA、PFBGA、QFN、WCSP

S1X5V000シリーズ

ステイタス MP
シリーズ名 S1X5V000シリーズ
特長
  • 高集積（0.35μm CMOS 2/3/4層配線プロセス採用）
  • 高速動作（内部ゲート遅延：0.19ns／5.0V、0.29ns／3.3V、2入力Power NAND Typ.）
  • 低消費電力（内部セル：1.3μW／MHz／gate/5.0V、0.54μW／MHz／gate/3.3V、2入力NAND Typ.）
  • 駆動能力（IOL=0.1,1,3,8,12mA／5.0V時、0.1,1.2,6,10mA／3.3V時）
マクロセル RAM、ROM、Flash、MCU、PLL、アナログセル、LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能
パッケージ QFP48～256ピン、PBGA、PFBGA、QFN、WCSP
 
ASIC製品の概要資料置き換えできたIC一覧、課題解決資料をダウンロード