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EPSON



半導体


製品情報:シリコンファンドリ

特徴あるプロセス技術、各種カスタマイズご要望に柔軟に対応

エプソンは1982年より現在に至るまでCMOSシリコンファンドリビジネスに取り組み、多くのお客様へ製品を供給してまいりました。
お客さまの競争力ある商品化のために、エプソンは以下の特徴あるサービスを提供いたします。 


微細化高圧プロセス・低リーク電流プロセスなど、お客さまのご要望に応じたプロセス改良、プロセス移植

テクノロジ

微細化高耐圧CMOSプロセス

Technology 0.35um 0.15um
Logic Voltage 3.3V 1.8V
High Voltage 8V / 30V / 40V 23V / 30V
Available Metal Layer 3M(8V), 4M(30/40V) 5M

CMOS Logicプロセス / Mixed Signalプロセス

Technology 0.35um 0.18um 0.15um
Core Voltage 3.3V 1.8V 1.8V
I/O Voltage 3.3V / 5V 3.3V 3.3V / 5V
Available Metal Layer 4M 6M 5M
Option PIP Capacitor - -
MIM Capacitor - -
Poly Resistor -

CMOS Mixed Signal高耐圧プロセス

Technology 0.35 um  0.35 um  0.15um
Core Voltage 3.3V 3.3V 1.8V
I/O Voltage 3.3V / 5V 3.3V / 5V 3.3V / 5V
High Voltage 8V 30V / 40V 23V / 30V
Available Metal Layer 3M 4M 5M
Option PIP Capacitor -
MIM Capacitor - -
Poly Resistor

ファンドリビジネスフロー

標準的なビジネスの流れは以下の様になります。
詳細につきましては、下記弊社営業担当までお問い合わせください。

お問い合わせ窓口: マイクロデバイス事業部 IC営業部
TEL:042-587-5313 FAX:042-587-5116

ファンドリビジネスフロー

ウェハープロセス製造拠点

ウェハープロセス製造拠点