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EPSON
半導体


製品情報： ASIC [スタンダードセル]

スタンダードセルは、最適設計された内部ロジックセルとROM・RAMなどのメモリ、CPU周辺やアナログ回路の1チップ化を可能にするセミカスタムICです。ゲートアレイに比べて設計の自由度が高く、高機能・高集積であり、お客さまの求める最適化されたシステムLSIを実現します。
これによって製品の小型化、低消費電力化に大きく貢献しております。

ラインアップ

 

 

スタンダードセル ラインアップ

S1K70000シリーズ

ステイタス MP
マニュアル

S1K70000/S1X70000シリーズ 5Vトレラントデザインガイド (7,610kb)

S1K70000/S1X70000シリーズデザインガイド (6,723kb)
シリーズ名 S1K70000シリーズ
特長
  • 高集積（0.18um CMOS 3/4/5/6層配線プロセス採用、
    搭載ゲート数：最大730万ゲート）
  • 高速動作（内部ゲート遅延：38.9ps／1.8V, 2入力Power NAND Typ.）
  • 電源電圧選択可能　単一電源動作（1.8V, 1.5V）
    2電源動作 （I/O : 3.3V／内部 : 1.8V, I/O : 2.5V／内部 : 1.8V, I/O : 3.3V／内部 : 1.5V, I/O : 2.5V／内部 : 1.5V）
  • 低消費電力（内部セル : 0.054μW／MHz／gate, 2入力NAND標準／1.8V）
  • 駆動能力（IOL=2,4,8,12mA／3.3V時、IOL=1.5,3,6,9mA／
    2.5V時、IOL=1,2,4,6mA／1.8V時、IOL=0.75,1.5,3,4.5mA／1.5V時）
マクロセル RAM、ROM、MCU、PLL、LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能。
パッケージ QFP48～256ピン, PBGA, PFBGA, QFN
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S1K60000シリーズ

ステイタス MP
シリーズ名 S1K60000シリーズ
特長
  • 超高集積（0.25μm　CMOS 3/4/5 層配線プロセス採用、搭載ゲート数：最大390万ゲート）
  • 高速動作（内部ゲート遅延：106ps／2.5V, 2入力 NAND Typ.）
  • 電源電圧選択可能　単一電源動作（2.0V, 2.5V）
    2電源動作 （I/O : 3.3V／内部 : 2.5V, I/O : 3.3V／内部 : 2.0V）
  • 低消費電力（内部セル : 0.09μW／MHz, 2入力NAND標準／2.5V）
  • 駆動能力（IOL=0.1, 1, 3, 6, 12, 24mA／3.3V時、IOL=0.1, 1, 3, 6, 9, 18mA／
    2.5V時、IOL=0.05, 0.3, 1, 2, 3, 6mA／2.0V時）
マクロセル RAM,ROM, Flash,MCU,PLL,LVDS,RSDS,各種マクロセル搭載可能。
パッケージ QFP48～256ピン, PBGA, PFBGA, QFN
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S1K50000シリーズ

ステイタス MP
マニュアル S1K50000シリーズ デザインガイド (1,552kb)
シリーズ名 S1K50000シリーズ
特長
  • 高集積（0.35um CMOS 3/4層配線プロセス採用、搭載ゲート数：最大145万ゲート）
  • 高速動作（内部ゲート遅延：136ps／3.3V, 2入力 NAND Typ.）
  • 電源電圧選択可能　単一電源時（2.0V, 2.5V, 3.3V）
    2電源時　（I/O : 5.0V／内部 : 3.3V, I/O : 3.3V／内部 : 2.5V, I/O : 3.3V／内部 : 2.0V）
  • 低消費電力（内部セル　0.22μW／MHz, 2入力NAND標準／3.3Ｖ）
  • 駆動能力（IOL=0.1, 1, 3, 8, 12, 24mA／5.0V時、IOL=0.1, 1, 2, 6, 12mA／
    3.3V時、IOL=0.1, 0.5, 1,3, 6mA／2.5V時、IOL=0.05, 0.3, 0.6, 2, 4mA／2.0V時）
マクロセル RAM,ROM, Flash,MCU,PLL,LVDS,RSDS,各種マクロセル搭載可能。
パッケージ QFP48～256ピン、 PBGA, PFBGA, QFN,WCSP
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