信頼されるASIC開発のパートナー
エプソンにはゲートアレイ、エンベデットアレイ、スタンダードセル製品を通じて、様々なASICソリューションをお客様へ提供し、支援してきた長い経験があります。お客様の求める低消費電力、小型・薄型、短納期に応えるために、常にご満足いただけるような環境を整備し、これからも信頼されるASIC開発のパートナーであり続けます。

ゲートアレイは、トランジスタ(ベーシックセル)をあらかじめ規則正しくアレイ(列)状に配置されたベースバルクを用意して、配線工程のみで LSI を構成します。したがって一般的に非常に開発期間が短いことが特長です。また、ベースバルクを多数準備することで、幅広いゲート帯に対応することができます。
| ステイタス | シリーズ | |||
|---|---|---|---|---|
| MP | ─ | S1L70000 | 0.18μm | 高速、高集積 |
| MP | 3,434kb |
S1L60000 | 0.25μm | 高速、高集積 |
| MP | 1,774kb |
S1L50000 | 0.35μm | 5Vインターフェース対応、高速、高集積 |
| MP | 2,240kb |
S1L30000 | 0.6μm | 5V単一電源、高速、高集積 |
エンベデッドアレイは、スタンダードセルマクロ、ASSP等の特定用途向けハードマクロを機能ブロックとして搭載し、かつ、お客さまの回路をSea of Gate で構成する新手法のセミカスタムICです。スタンダードセル並みの機能を混載しながら、ロジック部のSea of Gate化によりゲートアレイと同等の開発期間を実現します。また、回路変更が比較的容易なため、製品修正のリスク回避に役立てることができます。
| ステイタス | シリーズ | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| MP | 7,610kb |
6,723kb |
S1X70000 | 0.18μm | 高速、高集積 |
| MP | 11,440kb |
S1X60000 | 0.25μm | 高速、高集積 | |
| MP | ─ | S1X50000 | 0.35μm | 高機能(マクロセル多数)、低消費電力 | |
スタンダードセルは、最適設計された内部ロジックセルとROM・RAMなどのメモリ、CPUやアナログ回路の1チップ化を可能にするセミカスタムICです。ゲートアレイに比べて設計の自由度が高く、高機能・高集積であり、お客さまの求める最適化されたシステムLSIを実現します。これによって製品の高機能化、低消費電力化を実現することができます。
| ステイタス | シリーズ | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| MP | 7,610kb |
6,723kb |
S1K70000 | 0.18μm | 高速、高集積 |
| MP | ─ | S1K60000 | 0.25μm | 高速、高集積 | |
| MP | 1,552kb |
S1K50000 | 0.35μm | 高機能(マクロセル多数)、低消費電力 | |
ドキュメント掲載のない機種については、弊社営業担当へお問い合わせください。
お客さまの幅広いニーズに対応する 多彩なマクロセル ラインアップ
エプソンが得意とする「省」の技術を生かしたASICとそれを取り巻く多様なマクロセル ラインアップは、お客さまが要望するシステムLSIを実現することができます。
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低消費電力化実現のためにシステム電源の低電圧化が進められています。しかし、すべての構成部品が低電圧動作対応できない場合、同一システム上に複数の電源系が存在することになります。これにより現在多くの携帯機器においては5V/3.3Vといった2系統の電源、信号が存在しています。
電子機器の高性能、小型軽量化にともない、高集積、高速化するASICを高密度に実装するためのパッケージ技術が、ますます重要になってきています。エプソンでは、少ピンから超多ピン、小型、薄型など多様なニーズにお応えする豊富なパッケージラインアップをとりそろえています。